台积电3nm制程工艺今日量产 2nm预计在新竹与台中投产

12月29日消息(丁凡)日前,台积电在台南科学园区举办3纳米量产扩厂典礼,并由董事长刘德音致辞。

据悉,今天为台积电南科 纳米量产与晶圆18厂第八期上梁扩产。台积电的南科芯片 18 厂是 5 纳米及 3 纳米的生产基地,其中,芯片 18 厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。台积电将采用产能有限的N3节点工艺,然后在2023年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的N3E,随后在2024年转向 N3P,这一年台积电还将在新竹工厂将其2纳米GAA工艺投入试生产,并在2025年进行大规模生产。

此外,台积电在官网公布的信息显示,他们的3nm制程工艺,是5nm之后的另一个全世代制程,具备最佳的 PPA 及电晶体技术。同5nm制程工艺相比,3nm制程工艺的逻辑密度将增加约70%,在相同功耗下速度提升10-15%,或者在相同速度下功耗降低25-30%。

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